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NTF6P02	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02_V01	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTF6P02T3	文件：71.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3_06	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3-D	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3-D_10	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：999.68 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 35 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTF6P02T3G	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KX6P02	文件：2.01806 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NTMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET6A,20V,P?묬hannelSOIC??,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVF6P02	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,P-Channel,SOT-223-10A,-20V Features •LowRDS(on) •LogicLevelGateDrive •DiodeExhibitsHighSpeed,SoftRecovery •AvalancheEnergySpecified •NVFPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable* •TheseDevicesarePb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET6A,20V,P?묬hannelSOIC??,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TS6P02G	文件：206.6 Kbytes Page：4 Pages	6A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers	TMTTaiwan Memory Technology Taiwan Memory Technology	TMT
TS6P02G	文件：50.63 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhase6.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers VoltageRange50to1000VoltsCurrent6.0Amperes Features Glasspassivatedjunction Idealforprintedcircuitboard Reliablelowcostconstruction PlasticmaterialhasUnderwriters LaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Surgeoverloadratingto150amperespeak	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
NTF6P02
功能描述：
MOSFET -20V -6A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	NTF6P02	ON	23+	SOT223	35890		询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NTF6P02		23+	N/A	35700	正品授权货源可靠	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NTF6P02	ON/安森美	23+	SOT-223	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NTF6P02	ON	1709+	SOT-223	32500	普通	询价
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深圳市瑞卓芯科技有限公司	NTF6P02	ON/安森美	22+	SOT-223	18000	原装正品	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NTF6P02	ONS	2023+	sot223	50000	原装现货	询价

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