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NTE4151PT1G	文件：72.26 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTJS4151PT1G	文件：1.05715 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
NTE4151PT1
功能描述：
MOSFET -20V -760mA P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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