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NTD85N02R

功率 MOSFET,24V,85A,5.2mΩ,单 N 沟道,DPAK

NTD85N02R • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Ciss to Minimize Driver Loss\n• Low Gate Charge\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

NTD85N02R-1G

Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD85N02

  • 功能描述:

    MOSFET 24V 85A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD85N02供应商 更新时间2026-3-14 10:11:00