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NTD6416ANL-1	文件：317.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 74mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD6416ANL-1G	文件：145.3 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m廓文件：145.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6416ANL-1G	文件：84.9 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：84.9 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD6416ANT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	ON 上传：深圳市凯睿晟科技有限公司	ON
NTE159	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO92	NTE 上传：深圳市融意电子有限公司	NTE

详细参数

型号：
NTD6416ANL-1
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 100V 15A 86MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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