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NTD5867NL-1G	文件：144.68 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD5867NL-1G	文件：960.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTD5867NL-1
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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