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NTD5867NL-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 39mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:317.88 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD5867NL-1G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.09 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD5867NL-1G

N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m

文件:144.68 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5867NL-1G

N-Channel Power MOSFET

文件:108.35 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD5867NL-1

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD5867NL-1供应商 更新时间2026-2-9 18:21:00