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NTD5867	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：5867NLG；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET Features • Low RDS(on) • High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =20A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：456.1 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD5867NL	文件：299.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 39mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5867NL	文件：353.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 39MΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, 文件：353.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5867NL-1	文件：317.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 39mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD5867NLT4G	文件：456.1 Kbytes Page：6 Pages	丝印：5867NLG；Package：TO-252；60V N -Channel MOSFET Features • Low RDS(on) • High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =20A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：456.1 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD5867NLT4G	文件：763.31 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.31 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD5867NL	文件：144.68 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m 文件：144.68 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5867NL	文件：108.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5867NL_14	文件：108.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5867NL-1G	文件：108.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
36
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
39
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
20
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
15
Ciss Typ (pF)：
675
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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