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NTD4906NAT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD5802NT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-3	ON 上传：深圳市博达晶芯科技有限公司	ON
NTD5867NLT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ON安森美上传：深圳市宝芯创电子有限公司	ON安森美
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NTE159	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO92	NTE 上传：深圳市融意电子有限公司	NTE

详细参数

型号：
NTD4906NAT4G
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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