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NTD20N03L27G	文件：60.26 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET MOSFET –Power, N-Channel, DPAK 20 A, 30 V This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the “best of design” available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain−to−source diode has a ideal fast but soft 文件：60.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD20N03L27T4	文件：60.26 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET MOSFET –Power, N-Channel, DPAK 20 A, 30 V This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the “best of design” available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain−to−source diode has a ideal fast but soft 文件：60.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD20N03L27T4	文件：1.0434 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：1.0434 Mbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD20N03L27T4G	文件：447.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：20N03L；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features • Ultra−Low RDS(on), Single Base, Advanced Technology • SPICE Parameters Available • Diode is Characterized for use in Bridge Circuits • IDSS and V (on)Specified at Elevated Temperatures • High Avalanche Energy Specified Typical Applications • Power Supplies • Inductive Loads • 文件：447.31 Kbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD20N03L27T4G	文件：60.26 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET MOSFET –Power, N-Channel, DPAK 20 A, 30 V This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the “best of design” available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain−to−source diode has a ideal fast but soft 文件：60.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD20N03L27T4G	文件：212.67 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET –Power, N-Channel, DPAK 20 A, 30 V This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the “best of design” available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain−to−source diode has a ideal fast but soft recovery. Features • Ultra−Low RDS( 文件：212.67 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD20N03L27_14	文件：100.86 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：100.86 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD20N03L27-1G	文件：959.99 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.99 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD20N03L27G	文件：1.01524 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01524 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD20N03L27T4G	文件：1.01581 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01581 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
20
PD Max (W)：
55.5
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
29
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13.8
Ciss Typ (pF)：
1005
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTD20N03L27	onsemi	25+	DPAK	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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