HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS

文件：35 Kbytes 页数：2 Pages

edi

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.165Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：298.3 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.165Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：277.84 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Thyristor-Diode Module, 130 Amps

文件：200.7 Kbytes 页数：3 Pages

NAINA

Thyristor-Diode Module, 130 Amps

文件：201.02 Kbytes 页数：3 Pages

NAINA

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

文件：77.77 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts

文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N?묬hannel Enhancement?묺ode DPAK

文件：77.77 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts

文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件：974.5 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体