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NTBS2D7N06M7中文资料功率 MOSFET，N 沟道，标准门极，60 V，110 A，2.7 mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTBS2D7N06M7规格书详情
描述 Description
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
特性 Features
• Low Qrr
• Minimize switching loss
• Soft recovery body diode
• Reduced EMI and voltage spike
• Low RDS(on)
• Minimize conduction loss
• RoHS compliant
• Compact design
• UIS Capability
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supply
• Industrial Automation
• Battery Operated Tools
• Battery Protection
• Solar Inverters
• UPS and Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Fork Lifts, Multi Rotor Drones, Power Tools
• Power Supplies
• Battery Packs and Chargers
• Power Optimizers
技术参数
- 制造商编号
：NTBS2D7N06M7
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：110
- PD Max (W)
：176
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：110
- Ciss Typ (pF)
：6655
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
NEOPTEK |
2402+ |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Onsemi |
两年内 |
NA |
800 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
D2PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
7000 |
询价 | |||
安森美 |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
