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NTBLS4D0N15MC	文件：435.14 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=187A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- VDSS= 150V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·Switching converters,motor driver,relay driver ·Pow 文件：435.14 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTBLS4D0N15MC	文件：300.48 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??Single N-Channel 150 V, 4.4 m, 187 A 文件：300.48 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBLS4D0N15MC	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mΩ\u0002, 187A MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mΩ\u0002, 187A • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low QG and Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• Lowers Switching Noise/EMI\n• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVBLS4D0N15MC	文件：301.62 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Single N-Channel 文件：301.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NTBLS4D0N15MC供应商更新时间2025-10-9 16:12:00