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NTBG060N090SC1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTBG060N090SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 11:26:00

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NTBG060N090SC1规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

特性 Features

• Typical RDSon
• 60 mΩ
• High Speed Switching and Low Capacitance
• Coss = 115pF
• 100% UIL Tested
• Devices are RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC Converter
• Boost Inverter
• Power Supplies
• Solar Inverter
• UPS

技术参数

  • 制造商编号

    :NTBG060N090SC1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :900

  • VGS Max (V)

    :19

  • VGS(th) Max (V)

    :4.3

  • ID Max (A)

    :44

  • PD Max (W)

    :211

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :NA

  • Ciss Typ (pF)

    :1800

  • Package Type

    :D2PAK7 (TO-263-7L HV)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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