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NTBG022N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTBG022N120M3S
厂商型号

NTBG022N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22mohm, 1200V, M3S, D2PAK-7L

文件大小

324.94 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-27 14:36:00

NTBG022N120M3S规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 22 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 151 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 146 pF)

• 100 Avalanche Tested

• These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Energy Storage Systems

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
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