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NTB75N03

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:305.16 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTB75N03-006

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:80.18 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03-06

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:60.2 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03-06T4

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:60.2 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03-6G

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:80.18 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09G

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09G

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09T4

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB75N03

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 75A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTB75N03供应商 更新时间2025-10-8 10:31:00