NTB52N10数据手册ONSEMI中文资料规格书
NTB52N10规格书详情
描述 Description
N 沟道，增强模式，D2PAK
特性 Features
• Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Avalanche Energy Specified
• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Mounting Information Provided for the D2PAK Package
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
• PWM Motor Controls
• Power Supplies
• Converters
技术参数
- 型号：
NTB52N10
- 功能描述：
MOSFET 100V 52A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
31118 |
原装正品现货 |
询价 | ||
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | |||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263 |
1709 |
询价 | |||
ON |
TO-263 |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
2020+ |
2 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
D2PAK |
38000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
NA |
8635 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |
