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NTB30N20数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTB30N20

功能描述

功率 MOSFET,200V,30A,81mΩ,单 N 沟道,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 13:22:00

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NTB30N20规格书详情

描述 Description

功率 MOSFET,200V,30A,N 沟道增强模式,D2PAK

特性 Features

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Avalanche Energy Specified
• IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Mounting Information Provided for the D2PAK Package
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

PWM Motor Controls Power Supplies Converters

技术参数

  • 型号:

    NTB30N20

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 30A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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