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NTD18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：92.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTDV18N06L	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTDV18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP18N06	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N?묬hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP18N06G	文件：1.09044 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTP18N06G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N?묬hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB18N06G
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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