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NTB110N65S3HF	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，FRFET®，650 V，30 A，110 mΩ，D2PAK SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high\nvoltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge\nbalance technology for outstanding low on−resistance and lower gate\ncharge performance. This advanced technology is tailored to minimize\nconduction loss, provide superior s • 700 V @ TJ = 150 °C\n• Higher system reliability at low temperature operation\n• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 62 nC)\n• Lower switching loss\n• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 522 pF)\n• Lower switching loss\n• Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB110N65S3HF	文件：474.53 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NTB110N65S3HF；Package：D2PAK；MOSFET ??N?륝hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 m 文件：474.53 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL110N65S3F	文件：428 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 m 文件：428 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMT110N65S3HF	文件：303.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 文件：303.37 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP110N65S3HF	文件：377.02 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET ?밣ower, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 30 A, 110 m 文件：377.02 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
650
VGS Max (V)：
30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
30
PD Max (W)：
240
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
110
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
62
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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