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NTB095N65S3HF

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,650 V,36 A,95 mΩ,D2PAK

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high\nvoltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge\nbalance technology for outstanding low on−resistance and lower gate\ncharge performance. This advanced technology is tailored to minimize\nconduction loss, provide superior s • 700 V @ TJ = 150 oC\n• Higher system reliability at low temperature operation\n• Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 66 nC)\n• Lower switching loss\n• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 569 pF)\n• Lower switching loss\n• Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)\n;

ONSEMI

安森美半导体

NTB095N65S3HF

丝印:NTB095N65S3HF;Package:D2PAK;MOSFET ??N?륝hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 36 A, 95 m

文件:344.78 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTBL095N65S3H

MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST 650 V, 95 m, 30 A

文件:342.3 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHL095N65S3H

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FAST

文件:278.47 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHL095N65S3HF

MOSFET ??Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 36 A, 95 m

文件:452.89 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    650

  • VGS Max (V):

    30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    36

  • PD Max (W):

    272

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    95

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    70

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTB095N65S3HF供应商 更新时间2025-10-8 10:22:00