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NTA4001N	文件：61.02 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N?묬hannel, Gate ESD Protection, SC??5 MOSFET – Single, N-Channel, Gate ESD Protection, Small Signal, SC-75 20 V, 238 mA Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 x 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVA4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Application 文件：61.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001N	文件：137.98 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：137.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1	文件：61.02 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N?묬hannel, Gate ESD Protection, SC??5 MOSFET – Single, N-Channel, Gate ESD Protection, Small Signal, SC-75 20 V, 238 mA Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 x 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVA4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Application 文件：61.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1G	文件：61.02 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N?묬hannel, Gate ESD Protection, SC??5 MOSFET – Single, N-Channel, Gate ESD Protection, Small Signal, SC-75 20 V, 238 mA Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 x 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVA4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Application 文件：61.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1G	文件：857.72 Kbytes Page：38 Pages	AT90USB1287 (AVR) 64 QFN device (2.7V VCC 5.5V) Overview This document describes the AT88CK109STK3, which is a development kit for the AT88SA100, AT88SA102, and ATSA8810HS CryptoAuthentication devices. This kit uses a modular approach. The development kit includes the AT88Microbase board and the AT88CK109BK3 CryptoAuthentication daughter board 文件：857.72 Kbytes 页数：38 Pages	Atmel 爱特梅尔	Atmel
NTA4001N_11	文件：137.98 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：137.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1G	文件：137.98 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：137.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道门极，带 ESD 保护，小信号 MOSFET，20V，238mA，1.5Ω Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection • Low Gate Charge for Fast Switching\n• Small 1.6 X 1.6 mm Footprint\n• ESD Protected Gate\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
0.3
PD Max (W)：
0.301
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
3500
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
3000
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.82
Ciss Typ (pF)：
11.5
Package Type：
SC-75-3

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