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NTA4001N中文资料单 N 沟道门极,带 ESD 保护,小信号 MOSFET,20V,238mA,1.5Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTA4001N

功能描述

单 N 沟道门极,带 ESD 保护,小信号 MOSFET,20V,238mA,1.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-25 22:58:00

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NTA4001N规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection

特性 Features

• Low Gate Charge for Fast Switching
• Small 1.6 X 1.6 mm Footprint
• ESD Protected Gate
• RoHS Compliant

应用 Application

• Power ManagementLoad Switch
• Level Shift
• Portable Applications such as Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDA's, Video Games, Hand Held Computers, ect.

技术参数

  • 制造商编号

    :NTA4001N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :10

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.3

  • PD Max (W)

    :0.301

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :3500

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.82

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :11.5

  • Package Type

    :SC-75-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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