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PCM1793DBR	文件：234.78 Kbytes Page：25 Pages	24BIT192KHZSAMPLINGADVANCEDSEGMENTAUDIOSTEREODIGITALTOANALOGCONVERTER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PCM1793DBR	文件：489.55 Kbytes Page：32 Pages	24-BIT,192-kHzSAMPLING,ADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITAL-TO-ANALOGCONVERTER FEATURES 24-BitResolution AnalogPerformance: −DynamicRange:113dB −THD+N:0.001% −Full-ScaleOutput:2.1Vrms(at Postamplifier) DifferentialVoltageOutput:3.2Vp-p 8×OversamplingDigitalFilter: −Stop-BandAttenuation:–82dB −Pass-BandRipple:±0.002dB SamplingFreq	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
PCM1793DBR.B	文件：489.55 Kbytes Page：32 Pages	24-BIT,192-kHzSAMPLING,ADVANCEDSEGMENT,AUDIOSTEREODIGITAL-TO-ANALOGCONVERTER FEATURES 24-BitResolution AnalogPerformance: −DynamicRange:113dB −THD+N:0.001% −Full-ScaleOutput:2.1Vrms(at Postamplifier) DifferentialVoltageOutput:3.2Vp-p 8×OversamplingDigitalFilter: −Stop-BandAttenuation:–82dB −Pass-BandRipple:±0.002dB SamplingFreq	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
TC1793	文件：4.90935 Mbytes Page：189 Pages	32-BitSingle-ChipMicrocontroller	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
UM1793	文件：401.25 Kbytes Page：9 Pages	DynamicNFCtagexpansionboardbasedonM24SRforSTM32Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1793	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheµPA1793isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1793	文件：346.61 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A) RDS(on)3=107mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=1.0A) P-ChannelRDS(on)1=115mΩMAX.(VGS=–4.5V,ID=–1.5A) RDS(on)2=120mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPA1793G	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheµPA1793isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VDS1793	文件：320.9 Kbytes Page：1 Pages	SolidStateReceiverProtector	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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