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UM1793	文件：401.25 Kbytes Page：9 Pages	Dynamic NFC tag expansion board based on M24SR for STM32 Nucleo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPA1793	文件：346.61 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A) RDS(on)3=107mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=1.0A) P-ChannelRDS(on)1=115mΩMAX.(VGS=–4.5V,ID=–1.5A) RDS(on)2=120mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1793	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheµPA1793isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1793G	文件：118.52 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHINGN-ANDP-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheµPA1793isN-andP-ChannelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-ChannelRDS(on)1=69mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=1.5A) RDS(on)2=72mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=1.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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VDS1793	文件：320.9 Kbytes Page：1 Pages	SolidStateReceiverProtector	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI

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深圳市德力诚信科技有限公司	UM18-21112B211	SICK	24+	con	2500	优势库存,原装正品	询价
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