首页 >NSVMSB1218A-RT1G>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NSVMSB1218A-RT1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

ONSEMI

安森美半导体

MSB1218A-RT1

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

文件:106.62 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSB1218A-RT1

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC–70/SOT–323 package which is designed for low power surface mount applications. • High hFE, 210–460 • Low VCE(sat),

文件:156.45 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

MSB1218A-RT1G

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC--70/SOT--323 package which is designed for low power surface mount applications. Features • High hFE, 210-- 460 • Low VCE(sat),

文件:123.51 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NSVMSB1218A-RT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
SC-70-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
25+
SC-70-3
16750
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi
25+
SC-70 SOT-323
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ONSEMI/安森美
2511
SOT-323-3
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
24+
N/A
72000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
onsemi
2025+
55740
询价
ON/安森美
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ON/安森美
21+
SOT323
6000
全新原装 公司现货
询价
更多NSVMSB1218A-RT1G供应商 更新时间2025-10-6 23:00:00