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MSB1218A-RT1G	文件：123.51 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC--70/SOT--323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •HighhFE,210--460 •LowVCE(sat),	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSB1218A-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSB1218A-RT1	文件：106.62 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSB1218A-RT1	文件：156.45 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC–70/SOT–323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •HighhFE,210–460 •LowVCE(sat),	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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