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MSB1218A-RT1G	文件：123.51 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC--70/SOT--323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •HighhFE,210--460 •LowVCE(sat),	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSB1218A-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSB1218A-RT1	文件：156.45 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT ThisPNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ThisdeviceishousedintheSC–70/SOT–323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •HighhFE,210–460 •LowVCE(sat),	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MSB1218A-RT1	文件：106.62 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MSB1218A-RT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSB1218A-RT1G供应商更新时间2024-4-30 16:44:00

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