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MSB1218A-RT1G

PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC--70/SOT--323 package which is designed for low power surface mount applications. Features • High hFE, 210-- 460 • Low VCE(sat),

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ONSEMI

安森美半导体

MSB1218A-RT1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

ONSEMI

安森美半导体

MSB1218A-RT1

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

文件:106.62 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MSB1218A-RT1

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC–70/SOT–323 package which is designed for low power surface mount applications. • High hFE, 210–460 • Low VCE(sat),

文件:156.45 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

产品属性

  • 产品编号:

    MSB1218A-RT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MSB1218A-RT1G供应商 更新时间2025-10-4 8:11:00