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MSB1218A-RT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MSB1218A-RT1 |
| 参数属性 | MSB1218A-RT1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3 |
| 功能描述 | PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
156.45 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Motorola, Inc |
| 企业简称 |
MOTOROLA【摩托罗拉】 |
| 中文名称 | 加尔文制造公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-25 19:00:00 |
| 人工找货 | MSB1218A-RT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSB1218A-RT1规格书详情
This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC–70/SOT–323 package which is designed for low power surface mount applications.
• High hFE, 210–460
• Low VCE(sat), < 0.5 V
• Available in 8 mm, 7–inch/3000 Unit Tape and Reel
产品属性
- 产品编号：
MSB1218A-RT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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