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NSVMMBT6429LT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 TI/德州仪器
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
NSVMMBT6429LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
500 @ 100µA,5V
- 频率 - 跃迁:
700MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
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