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NSVBA114YDXV6T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBC114YDXV6T1G	文件：181.62 Kbytes Page：15 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：181.62 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBC114YDXV6T1G	文件：156.48 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors 文件：156.48 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBC114YDXV6T1G	文件：88.26 Kbytes Page：8 Pages	Dual NPN Bias Resistor Transistors 文件：88.26 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）：
47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
500mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：
SOT-563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NSVBA114YDXV6T1G	onsemi(安森美)	24+	SOT-563	3727	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
深圳市纳立科技有限公司	NSVBA114YDXV6T1G		三年内		1983	只做原装正品	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	NSVBA114YDXV6T1G	ON/安森美	23+	SOT-563	14500	原厂原装正品	询价

更多NSVBA114YDXV6T1G供应商更新时间2025-10-5 8:11:00

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