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NSVBA114YDXV6T1G价格ONSEMI/安森美半导体瑞卓芯科技6部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:NSVBA114YDXV6T1G
- 生产厂家
:安森美
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:50V
- 电阻器 - 基底(R1)
:10 千欧
- 电阻器 - 发射极基底(R2)
:47 千欧
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:80 @ 5mA,10V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:250mV @ 300µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:500nA
- 频率 - 跃迁
:-
- 功率 - 最大值
:500mW
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装
:SOT-563
供应商
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