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NSV1C200MZ4中文资料100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NSV1C200MZ4 |
| 参数属性 | NSV1C200MZ4 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 2A SOT223 |
| 功能描述 | 100 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 8:33:00 |
| 人工找货 | NSV1C200MZ4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSV1C200MZ4规格书详情
简介
NSV1C200MZ4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的NSV1C200MZ4晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
NSV1C200MZ4T1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
120MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
- 描述：
TRANS PNP 100V 2A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT223 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT223 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
2000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
10500 |
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 |
