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NSS40301MZ4	文件：114.45 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：114.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4	文件：81.56 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) 文件：81.56 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4	文件：89.39 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：89.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4	文件：300 bytes Page：1 Pages	3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor The combination of low saturation voltage and high gain makes this 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor an ideal device for high speed switching applications where power saving is a concern. • Low Collector-Emitter Saturation Voltage\n• Minimized power loss\n• High DC Current Gain\n• Very low current requirements\n• High Current-Gain Bandwidth Product\n• Ideal for high frequency designs\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirem;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4_10	文件：114.45 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor 文件：114.45 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4T1G	文件：81.56 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) 文件：81.56 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4T3G	文件：81.56 Kbytes Page：6 Pages	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) 文件：81.56 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 3A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS40301MZ4T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 3A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.2
IC Cont. (A)：
3
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1
VBE(on) (V)：
0.9
hFE Min：
200
hFE Max：
500
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鼎欣微电子有限公司	NSS40301MZ4	ON/安森美	21+	SOT-223	30000	只做正品原装现货	询价
深圳市联世界科技有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON	24+/25+		3945	原装正品现货库存价优	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON	23+	SOT-223	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	NSS40301MZ4T3G	ON	24+	SOT-223(TO-261)4L	8866		询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON	1716+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华来深电子有限公司	NSS40301MZ4T3G	ON	23+	SOT-223	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市纳立科技有限公司	NSS40301MZ4T3G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON/安森美	19+	SOT-223	30000	原装正品,价格优	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NSS40301MZ4T1G	ON/安森美	20+	SOT-223	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

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