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NSS40300DDR2G

Dual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:109.62 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS40300MZ4T3G

TO-223

ON

NSS60601MZ4T1G

SOT-223

ON

NSS60601MZ4T3G

SOT-223

ON/安森美

NST1001

TO-92

NOVOSENSE

详细参数

  • 型号:

    NSS40300DDR2

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NSS40300DDR2供应商 更新时间2026-2-5 15:28:00