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NSS40200UW6T1G	文件：66.2 Kbytes Page：5 Pages	40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS40200UW6T1G	文件：74.31 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS40200UW6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 2A 6WDFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSS40200UW6T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
6-WDFN（2x2）
描述：
TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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