NSS40200UW6T1G_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个-安森美半导体

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原厂料号:NSS40200UW6T1G品牌:onsemi

资料说明:TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

NSS40200UW6T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装6-WDFN 裸露焊盘的NSS40200UW6T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    nss40200uw6t1g

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 资料说明:

    TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NSS40200UW6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 20mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-WDFN(2x2)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 2A 6WDFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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