首页>NSS40200UW6T1G>芯片详情

NSS40200UW6T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体

NSS40200UW6T1G参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号:

    NSS40200UW6T1G

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    8540

  • 产品封装:

  • 生产批号:

    2450+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2025-7-29 17:02:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:NSS40200UW6T1G品牌:ON/安森美

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

NSS40200UW6T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装6-WDFN 裸露焊盘的NSS40200UW6T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

  • 芯片型号:

    NSS40200UW6T1G

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    5 页

  • 文件大小:

    74.31 kb

  • 资料说明:

    PNP Transistor

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :NSS40200UW6T1G

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.12

  • IC Cont. (A)

    :2

  • VCEO Min (V)

    :40

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :7

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :0.9

  • hFE Min

    :150

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :140

  • PTM Max (W)

    :1.5

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商

  • 企业:

    深圳市科恒伟业电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    李小姐/黄先生

  • 手机:

    13424246946

  • 询价:
  • 电话:

    0755-82569753

  • 传真:

    0755-83205202

  • 地址:

    深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14