订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NSS40200UW6T1G>芯片详情
NSS40200UW6T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSS40200UW6T1G品牌:ON/安森美
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
NSS40200UW6T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装6-WDFN 裸露焊盘的NSS40200UW6T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 类型
描述
- 型号
:NSS40200UW6T1G
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.12
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:40
- VCBO (V)
:40
- VEBO (V)
:7
- VBE(sat) (V)
:0.9
- VBE(on) (V)
:0.9
- hFE Min
:150
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:140
- PTM Max (W)
:1.5
- Package Type
:WDFN-6
供应商
相近型号
- NSS40200L
- NSS3-WH
- NSS40300CTWG
- NSS40300DDR2G
- NSS3CS-WH
- NSS3-BK
- NSS40300DDR2GIC
- NSS40300MDG
- NSS40300MDR2G
- NSS35200MR6T1G
- NSS40300MZ4
- NSS35200CF8T1G
- NSS40300MZ4T
- NSS35200CF8T1
- NSS40300MZ4T1G
- NSS40300MZ4T1GIC
- NSS30201MR6T1G
- NSS30201MR6T1
- NSS40300MZ4T3G
- NSS3010LT1G
- NSS40300UT001G
- NSS40301
- NSS30101LT1GG
- NSS40301CTWG
- NSS30101LT1G
- NSS40301MD
- NSS40301MDR2G
- NSS40301MDR2GIC
- NSS30100LT1GIC
- NSS30100LT1G-126
- NSS40301MZ4T1G
- NSS30100LT1G
- NSS30100LT1
- NSS40301MZ4T3G
- NSS300MR6T1G
- NSS30071MR6T1G
- NSS40301MZ4TG
- NSS30071MR6
- NSS40302PDR2G
- NSS40500UM3T2G
- NSS30070MR6T1G
- NSS40500UW3
- NSS20601CF8T1G
- NSS40500UW3T2G
- NSS20601CF8
- NSS20600CF8T1G
- NSS20501UW3TBG
- NSS40501UW3
- NSS40501UW3T1G
- NSS20501UW3T2G