订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NSS35200MR6T1G>芯片详情
NSS35200MR6T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSS35200MR6T1G品牌:ON/安森美
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
NSS35200MR6T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT23-6/SOT-23-6 细型,TSOT-23-6的NSS35200MR6T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 类型
描述
- 制造商编号
:NSS35200MR6T1G
- 生产厂家
:安森美
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:Low VCE(sat)
- VCE(sat) Max (V)
:0.31
- IC Cont. (A)
:2
- VCEO Min (V)
:35
- VCBO (V)
:55
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:0.85
- VBE(on) (V)
:0.875
- hFE Min
:100
- hFE Max
:400
- fT Min (MHz)
:100
- PTM Max (W)
:1.75
- Package Type
:TSOP-6
相近型号
- NSS40300MZ4T
- NSS20501UW3T2G
- NSS40300MZ4T1G
- NSS20500UW3T2G
- NSS40300MZ4T3G
- NSS40301MDR2G
- NSS20300MR6T1G
- NSS40301MZ4
- NSS20201MR6T1G
- NSS40301MZ4T1G
- NSS40301MZ4T3G
- NSS20201LT1G
- NSS40302PDR2G
- NSS20200LT1G
- NSS40500UW3T2G
- NSS20101JT1G
- NSS40600CF8T1G
- NSS1C301ET4G
- NSS507-212F
- NSS1C301E
- NSS524-012N-AABG1T
- NSS1C300ET4G
- NSS60100DMTTBG
- NSS1C201MZ4T3G
- NSS60101DMR6T1G
- NSS60200LT1G
- NSS1C201MZ4T1G
- NSS60201LT1G
- NSS60600MZ4T1G
- NSS1C201LT1G
- NSS1C200MZ4T3G
- NSS60600MZ4T3G
- NSS1C200MZ4T1G
- NSS60601MZ4
- NSS60601MZ4T1G
- NSS1C200LT1G
- NSS12601CF8T1G
- NSS60601MZ4T3G
- NSSW020AT1
- NSS12201LT1G
- NSSW020BT-P1
- NSSW100DT
- NSS12200LT1G
- NSSW109T
- NSS12100XV6T1G
- NSSW123BT-HD
- NSS12100XV6
- NSSW157T
- NSS12100UW3TCG
- NSSW206CT