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NSS12200L	文件：136.93 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS12200LT1G	文件：132.34 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS12200LT1G	文件：102.7 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS12200LT1G	文件：136.93 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS12200LT1G_09	文件：132.34 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSS12200LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 12V 2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NSS12200L
功能描述：
两极晶体管 - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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