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NSS12200LT1G

12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS12200LT1G

12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS12200LT1G

PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS12200LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 12V 2A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSS12200LT1G_09

12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSV12200LT1G

PNPTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    NSS12200LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    180mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 12V 2A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NSS12200LT1G供应商 更新时间2025-5-3 8:12:00