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NSS20201MR6T1G_06

20 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

文件:47.91 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20300MR6T1G

20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:62.87 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20300MR6T1G

PNP Transistor

文件:39.24 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20300MR6T1G

20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:134.85 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20300MR6T1G_07

20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:62.87 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20300MR6T1G_09

20 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:134.85 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3

PNP Transistor

文件:108.94 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

PNP Transistor

文件:108.94 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:61.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:108.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NSS

  • 功能描述:

    运算放大器 - 运放 High Precision Oper Amplifier

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 通道数量:

    4

  • 共模抑制比(最小值):

    63 dB

  • 输入补偿电压:

    1 mV

  • 输入偏流(最大值):

    10 pA

  • 工作电源电压:

    2.7 V to 5.5 V

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 转换速度:

    0.89 V/us

  • 关闭:

    No

  • 输出电流:

    55 mA

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSS供应商 更新时间2026-3-14 14:13:00