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NSS20500UW3

PNP Transistor

文件:108.94 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3

低饱和压晶体管,PNP,-20 V,7.0 A

Low VCE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. • High Current, Low VCEsat, ESD Robust, High Current Gain, High Cut Off Frequency, Low Profile Package, Linear Gain (Beta)\n• Improved Circuit Efficiency, Decreased Battery Charge Time, Reduce component count, High Frequency Switching, Smaller Portable Product, No distortion;

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:108.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:61.06 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

PNP Transistor

文件:108.94 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G_07

20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:108.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3TBG

PNP Transistor

文件:108.94 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3T2G

Package:3-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 5A 3WDFN

ONSEMI

安森美半导体

NSS20500UW3TBG

Package:3-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 20V 5A 3WDFN

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.26

  • IC Cont. (A):

    5

  • VCEO Min (V):

    20

  • VCBO (V):

    20

  • VEBO (V):

    7

  • VBE(sat) (V):

    0.9

  • VBE(on) (V):

    0.9

  • hFE Min:

    250

  • fT Min (MHz):

    100

  • PTM Max (W):

    1.5

  • Package Type:

    WDFN-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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WDFN-3
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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WDFN-3
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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1983
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ON/安森美
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50
全新原装 货期两周
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更多NSS20500UW3供应商 更新时间2025-10-5 11:10:00