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NSR10F20NXT5G_V01	文件：176.99 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR10F30NXT5G	文件：116.07 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR10F30NXT5G_V01	文件：116.07 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR10F40NXT5G	文件：152.27 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR10F40NXT5G_V01	文件：152.27 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR2030QMUTWG	文件：127.9 Kbytes Page：6 Pages	2A, 30V Schottky Full Bridge ThesefullbridgeSchottkybarrierdiodesaredesignedforthe rectificationofthehighspeedsignalofwirelesscharging.The NSR2030QMUTWGhasaverylowforwardvoltagethatwillreduce conductionloss.ItishousedinaUDFN3.5x3.5x0.5mmpackage thatisidealforspaceconstrainedw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR20F30NXT5G	文件：153.29 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR20F30NXT5G_V01	文件：153.29 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR20F40NXT5G	文件：153.5 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrentandareofferedinaChipScale Package(CSP)toreduceboardspace.Thelowthermalresistance enablesdesignerstomeetthechallengingtaskofachievinghigher efficiencyandmeetingreducedspa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSRLL30XV2	文件：82.52 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh−speed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhand−heldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.385
IRM Max (µA)：
0.35
IO(rec) Max (A)：
0.1
IFSM Max (A)：
1
Cj Max (pF)：
10
Package Type：
SOD-923-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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