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NSM3005NZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

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厂商型号

NSM3005NZ

参数属性

NSM3005NZ 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN

功能描述

N 沟道 MOSFET,20 V,224 mA,带小信号 PNP BJT,30 V,500 mA
TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 9:03:00

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NSM3005NZ规格书详情

描述 Description

30 V, 500 mA, PNP BJT with 20 V, 224 mA,
N−Channel MOSFET

特性 Features

• RoHS Compliant

应用 Application

• Portable Devices

简介

NSM3005NZ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的NSM3005NZ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NSM3005NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :±8

  • VGS(th) Max (V)

    :1

  • ID Max (A)

    :0.224

  • PD Max (W)

    :0.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :1900

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1400

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :-

  • Ciss Typ (pF)

    :15.8

  • Package Type

    :UDFN-6

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