NSM3005NZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

厂商型号 |
NSM3005NZ |
参数属性 | NSM3005NZ 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN |
功能描述 | N 沟道 MOSFET,20 V,224 mA,带小信号 PNP BJT,30 V,500 mA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 9:03:00 |
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NSM3005NZ规格书详情
描述 Description
30 V, 500 mA, PNP BJT with 20 V, 224 mA,
N−Channel MOSFET
特性 Features
• RoHS Compliant
应用 Application
• Portable Devices
简介
NSM3005NZ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由制造生产的NSM3005NZ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
技术参数
更多- 制造商编号
:NSM3005NZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:20
- VGS Max (V)
:±8
- VGS(th) Max (V)
:1
- ID Max (A)
:0.224
- PD Max (W)
:0.8
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:1900
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:1400
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:0.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:-
- Ciss Typ (pF)
:15.8
- Package Type
:UDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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