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NSM21356DW6T1G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NSM21356DW6T1G

功能描述

Dual Complementary Transistors

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    NSM21356DW6T1G

  • 功能描述:

    TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    70mA,100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧):

    47k,2.2k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧):

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE):

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    - 频率 -

  • 转换:

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大:

    250mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商设备封装:

    PG-SOT363-6

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 其它名称:

    SP000784046

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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