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NSM21356DW6中文资料NPN BRT + PNP，采用 SC-88 封装数据手册ONSEMI规格书
NSM21356DW6规格书详情
描述 Description
NSM21356DW6T1G 包含一个单 PNP 晶体管和一个单片偏置网络 NPN 晶体管，该网络由两个电阻组成：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。此器件通过将多个晶体管和电阻集成到一个器件中，来替代客户板上的这些晶体管和电阻。NSM21356DW6T1G 采用 SC-88/SOT-363 封装，适用于空间受限的低功率表面贴装应用。
特性 Features
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• Q1: NPN BRT, R1 = R2 = 47 k
• Q2: PNP
• This is a Pb-Free Device
应用 Application
• Logic Switching
• Amplification
• Driver Circuits
• Interface Circuits
技术参数
- 型号：
NSM21356DW6
- 功能描述：
TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：
-
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）：
70mA，100mA 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
- 基极(R1)（欧）：
47k，2.2k 电阻器 -
- 发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
- 集电极截止（最大）：
- 频率 -
- 转换：
100MHz，200MHz 功率 -
- 最大：
250mW
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：
PG-SOT363-6
- 包装：
带卷(TR)
- 其它名称：
SP000784046
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
22+ |
SMD |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
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SMD |
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24+ |
3000 |
询价 | |||||
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SOT-363 |
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SMD |
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NEO |
23+ |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
OHIZUMI |
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SMD |
9850 |
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询价 |
