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NSBA114EF3

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NSBA114EF3

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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NSBA114EF3

Digital Transistors (BRT)

ONSEMION Semiconductor

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NSBA114EF3

Digital Transistors (BRT)

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安森美半导体安森美半导体公司

NSBA114EF3T5G

Digital Transistors (BRT)

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Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k

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Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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NSBA114EF3T5G

Marking:F;Package:SOT-1123;Digital Transistors (BRT)

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NSBA114EF3T5G

Package:SOT-1123;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123

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详细参数

  • 型号:

    NSBA114EF3

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-1123 NBRT TRNSTR

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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