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NSBA114EF3T5G分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NSBA114EF3T5G |
| 参数属性 | NSBA114EF3T5G 封装/外壳为SOT-1123；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 |
| 功能描述 | Digital Transistors (BRT) |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-1123 |
| 文件大小 |
108.63 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-11 9:09:00 |
| 人工找货 | NSBA114EF3T5G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NSBA114EF3T5G规格书详情
NSBA114EF3T5G属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由安森美半导体制造生产的NSBA114EF3T5G晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
产品属性
更多- 产品编号：
NSBA114EF3T5G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-1123
- 供应商器件封装：
SOT-1123
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
25+ |
SOT563 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
25+ |
SOT563 |
2800 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ON |
25+ |
SOT-1123PBF |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
96000 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
19950 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT563 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-1123-3 |
6547 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT563 |
89630 |
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询价 |
