| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
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NSQFP |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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ONSOT23 |
12000 |
21+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY(威世)TO-263 |
5627 |
23+ |
百分百原装正品,可原型号开票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
47048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ONSOT963 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美SOT-563 |
51316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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ON/安森美SOT-563 |
13140 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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ONSOT223 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY(威世)TO-263 |
1471 |
23+ |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
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80000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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ON/安森美SOT563 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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ONSOT-353 |
11775 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
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NSQFP |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
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ONSEMIN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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ON/安森美SOT-563 |
10053 |
2105+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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ON/安森美SOT-963 |
60000 |
21+ |
只售原装进口正品 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
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ONSOT-353 |
910000 |
24+ |
原包原装正品 只做进口原装 支持机构实单检测 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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VishayTO263AB |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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NSB1706DMW5T1G价格
NSB1706DMW5T1G价格：￥0.1831品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NSB1706DMW5T1G多少钱，想知道NSB1706DMW5T1G价格是多少？参考价：￥0.1831。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NSB1706DMW5T1G批发价格及采购报价，NSB1706DMW5T1G销售排行榜及行情走势，NSB1706DMW5T1G报价。
NSB8MT-E3/81资讯
NSBA123JDXV6
ON三极管NSBA123JDXV6T5G双极晶体管-预偏置100mA50VDualPNP
NSBC114YPDXV6T1 ONBI1667-10-0原装正品，价格优势
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NSB9435T1G 最新到货产品,原装正品,特价销售,欢迎咨询
NSB9435T1G型号基本信息如下型号名称：NSB9435T1G制造商：ONSemiconductor封装：SOT-223批号：--数量：最新库存数量请通过电话及QQ询问我们价格：最新价格请通过电话及QQ联系我们确认类型：晶体管（BJT）-单路﹐预偏压式包装:带卷（TR）系列:-晶体管类型:PNP-预偏压电流-集电极(I
NSB8MT-E3/81中文资料Alldatasheet PDF
更多NSB 5882制造商:Texas Instruments
NSB1010XV5T5功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
NSB1010XV5T5G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
NSB1011XV6T5功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
NSB1011XV6T5G功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
NSB12ANT3G功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SMB TVS 600W 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
NSB13211DW6T1G功能描述:TRANS BRT DUAL COMPL SC-88 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极(Ic)（最大）:70mA，100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极(R1)（欧）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极(R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷(TR) 其它名称:SP000784046
NSB13ANT3G功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SMB TVS 600W 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
NSB13ANT3H制造商:ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
