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NSBC124EPDXV6T1G	文件：168.49 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：168.49 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSBC124EPDXV6T1G	文件：105.87 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Bias Resistor Transistors 文件：105.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSBC124EPDXV6T1G	文件：181.62 Kbytes Page：15 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：181.62 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSCSSNN005PDUNV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell SIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell
NSCSSNN030PAUNV	文件：0 bytes Page：0 Pages	Honeywell SIP-4	Honeywell 霍尼韦尔上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Honeywell

详细参数

型号：
NSBC124EPDXV6T1G
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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