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NRVBB3030CTLT4G	文件：185.02 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier SWITCHMODE Power Rectifier These state−of−the−art devices use the Schottky Barrier principle with a proprietary barrier metal. Features • Dual Diode Construction, May be Paralleled for Higher Current Output • Guard−Ring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 125C Operating Junct 文件：185.02 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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