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NRVBB3030CTLT4G
厂商型号

NRVBB3030CTLT4G

功能描述

SWITCHMODE Power Rectifier

文件大小

185.02 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 11:12:00

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NRVBB3030CTLT4G规格书详情

SWITCHMODE Power Rectifier

These state−of−the−art devices use the Schottky Barrier principle with a proprietary barrier metal.

Features

• Dual Diode Construction, May be Paralleled for Higher Current Output

• Guard−Ring for Stress Protection

• Low Forward Voltage Drop

• 125C Operating Junction Temperature

• Maximum Die Size

• Short Heat Sink Tab Manufactured − Not Sheared!

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• NRVBB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements

• All Packages are Pb−Free*

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